珠海深圳清华大学研究院创新中心专业芯片测试分析设备采购项目单一来源采购公示
发布日期:2017-01-10
珠海深圳清华大学研究院创新中心专业芯片测试分析设备采购项目单一来源采购公示
[项目编号:ZHGJ2017-004]
深圳市国际招标有限公司受珠海深圳清华大学研究院创新中心的委托,就珠海深圳清华大学研究院创新中心专业芯片测试分析设备采购项目(项目编号:ZHGJ2017-004)拟申请单一来源采购。现对该项目的基本情况予以公示,公示期从2017年1月11日起至2017年1月 17日止,共计5个工作日。
一、采购项目基本信息及需求
1、采购项目概况及用途:
为进行芯片整体电性的测试并提高产品的良品率,提高芯片测试的准确性和稳定性,保障芯片的性能和质量,满足老化与测试实验室运营需求,拟采购一台专业芯片测试分析设备。具体要求如下:
1) 芯片测试仪具有较快的时钟频率(400MHz及以上),较快的数据传输率(800Mbps),可以测试串口或并口的FLASH、PROM、EEPROM、eMMC等器件,还支持高速NVDDR/NVDDR2接口的FLASH;
2) 较小的占用空间,易于维护;
3) 较快的测试控制器,加快程序执行、数据处理的速度, 减少测试时间;
4) 较大容量的ECR、DBM,保证测试覆盖率,提高测试速度;
5) 测试机可以测试存储器和数字逻辑集成电路;
6) 测试机台需要以cable的方式与探针台进行连接。
2、主要技术参数或服务要求:
本项目需求的芯片测试仪主要功能需包括以下几条:
1) 数字通道256ch,数字通道电压范围-1.0V~6V,其中一半通道具有高压驱动能力,电压范围-1.0V~13V。分别针对Flash不同引脚进行定义,如DQ,CE,ALE等,通过测试机Interface 板上的接口连接输入以及测试信号。
2) 数据缓存存储器(Data Buffer Memory)失效抓取存储器(AFM)坏块存储器(BBM):可以对芯片写入大容量随机数据,抓取错误信息,进行坏块分析,屏蔽对坏块的操作,支持逻辑芯片测试。
3) 通用缓存存储器(Universal Buffer Memory):可以同时为不同芯片读写不同的数据,减少测试时间。Flash测试功能(Flash Function):统计每个芯片的擦写等待时间,自动屏蔽擦写超时的芯片,减少测试时间。Ecc功能(Ecc Function):实时统计每个page失效bit(byte)个数,并判定是否为坏块,减少测试时间。
4) 算法向量生成器ALPG:X地址生成: 24bits,Y地址生成:24bits,数据生成:36bits,对MRAM进行地址信号、数据型号、控制信号的生成。
5) 电源(DPS)24ch,每个电压有3个分支,可同时给3个器件供电,并独立开关控制。电压范围:-1V~13V,电流范围:-200~+1200mA;对Flash供电,以及测试模式下输入特殊信号等。
6) 接口测试速率达到400MHz / 800Mbps,完全满足所有Flash以及eMMC 存储器速度测试
7) 提供wavetracer, shmoo等工具帮助工程分析。
3、供应商资格要求:
a)供应商必须是国内注册的公司,提供独立法人营业执照副本复印件加盖公章;
b)法人资格证明书原件及法人授权委托书原件(若参加投标的代表为法定代表人,则只需提供法定代表人证明书原件及其身份证复印件);
c)本项目不接受联合体投标。
二、拟邀请供应商名称:爱德万测试(中国)管理有限公司。
三、拟申请单一来源采购方式的理由
1、市场供应情况(只能从唯一供应商处采购):是。
实验室申请意见:需要256个数字通道提高并测数,每个通道的Pattern速率以及失效抓取的速率需要达到400MHz/800Mbps应对主流和下一代高速Flash,需要实时的失效计数能力对应Flash的ECC支持,数字通道需要具备实时检测Flash Ready/Busy状态,并统计Busy时间的能力,当超时发生后自动屏蔽被测芯片,不影响其他同测芯片的测试时间。测试机需要具备可升级扩展能力。在预算价位内只有此家供应商的设备能够支持。
2、专家论证意见:有。
1)采购项目的市场分析:该供应商的设备满足项目的技术要求,且价格在预算内。
2)符合单一来源采购情形。
3)拟邀请供应商与项目匹配。
潜在供应商对公示内容有异议的,请于公示期至期满后2个工作日内将书面意见(包括:供应商名称,联系人,联系电话,符合本项目采购要求的说明或本项目采购需求技术指标的不合理性等内容)反馈至采购单位及采购代理机构。
采购单位联系人:辛先生,电话:0756-3616291;
地址:珠海市高新区唐家湾镇大学路101号清华科技园创业大楼B座1108单元。
采购代理机构联系人:郑先生,电话:0756-2173707;
地址:珠海市香洲区银桦路8号9楼D座。
深圳市国际招标有限公司
二〇一七年一月十日